很多時候，我們對半導體器件的靜電擊穿無法准確的判斷， 特別是那些由于小容量的電荷引起的介質擊穿以及檢測缺陷的位置等；我們都得知靜電擊穿的是否已經發生，是否已經對现有產品不造成損壞呢，這需要一個判定的標准和方法。

如何對器件進行靜電擊穿檢測呢？一般來說，我們可以通過光學顯微鏡直接進行觀察，這裏就簡單介紹一下幾種檢測的辦法：

1、用電子顯微鏡或掃描電子顯微鏡(SEM)觀察

2、光輻射法

用顯微鏡在昏暗的視野下進行觀察，同時，將結區電壓慢慢地增加，這樣，當結區發生擊穿時，在擊穿的地萬便會發光。這是由于在結區的電子與空穴複合時所釋放出的能量以光子的形式輻射出來了。

3、選擇性化學腐蝕法

這是一種使用易于腐蝕si、而難于腐蝕SiO2的液體來對形成氧化膜的試樣進行腐蝕的方法。如果在氧化膜中存在有缺陷，則通過這個缺陷，si就會被腐蝕，便能觀察到特有的腐蝕坑，這樣，便可對缺陷進行評估。

4、利用液晶觀察熱點

因靜電放電而產生的熱擊穿，可利用向列型液晶來觀察熱點的位置，這是一種比較簡便的萬法。

5、EBIC法

電子束感應電流法(簡稱EBIC法)是測量由于掃描電子顯微鏡電子束的照射，在半導體中形成的電子空穴對引起的電流的方法。這是一種非破壞性的實驗方法，可以了解在表面之下的電特性和物理特性。

6、電壓對比法

電壓對比法與前面的EBIC法類似。利用這種方法的電子束探針，可以代替以往的钨探針，它是一種分析故障的高分辨率的探針。

7、EBEGC法

電子束增強選通電流法(簡稱EBEGC法)，這是一種將二次電子束與電子束引起的感應電流像叠加起來進行利用的一種方法。這種方法可以看作是EBIC法與電壓對